半導(dǎo)體電源芯片高低溫測(cè)試流程及選擇？

　　芯片在出廠前均需要進(jìn)行環(huán)境測(cè)試，模擬芯片在氣候環(huán)境下操作及儲(chǔ)存的適應(yīng)性，已確保其在惡劣環(huán)境下也可正常工作。在芯片，半導(dǎo)體等電子設(shè)備進(jìn)行失效分析、可靠性評(píng)估等性能測(cè)試時(shí)，選擇一款合適的半導(dǎo)體電源芯片高低溫測(cè)試也尤為重要。

　　無(wú)錫冠亞 TES 系列高低溫測(cè)試機(jī)可提供-85~250 度的測(cè)試環(huán)境溫度，設(shè)備不直接作用于測(cè)試物件，而是連接到一個(gè)測(cè)試平臺(tái)適配器上，部件內(nèi)部通過(guò)導(dǎo)熱介質(zhì)進(jìn)行加熱和冷卻測(cè)試，控制溫度精度保持在±0.3°C。

TES 系列半導(dǎo)體電源芯片高低溫測(cè)試均可以和電腦連接，通過(guò)組態(tài)軟件實(shí)現(xiàn)電腦畫(huà)面與儀器設(shè)備畫(huà)面同步，通信距離 200 米以內(nèi)均可輕松實(shí)現(xiàn)溫度設(shè)定，實(shí)時(shí)控制畫(huà)面。7 寸彩色大屏幕，溫度曲線記錄，程序選擇及報(bào)警畫(huà)面記錄等。實(shí)現(xiàn)可視化、數(shù)據(jù)儲(chǔ)存和匯報(bào)分析。