集成芯片測(cè)試儀器使用建議

　　集成芯片測(cè)試儀器是使用在不同的工藝中，在不同的工況要求下，集成芯片測(cè)試儀器在使用的時(shí)候需要注意一些使用知識(shí)，那么，集成芯片測(cè)試儀器在使用需要注意哪些呢？

　　芯片上的溫度變化會(huì)顯著地影響芯片功耗、速度和可靠性。特別是泄漏功率與溫度呈指數(shù)關(guān)系，如果不能正確地處理，將導(dǎo)致熱失控。而像壓降和時(shí)鐘偏移等性能因素也特別容易受空間溫度變化的影響，并導(dǎo)致性能下降。集成芯片測(cè)試儀器在器件性能劣化過(guò)程中也扮演著重要角色，這是由于偏置溫度不穩(wěn)定等現(xiàn)象引起的，這在模擬電路中更加明顯。封裝和相關(guān)冷卻系統(tǒng)的冷卻效率會(huì)由于上的熱點(diǎn)而降低。在許多情況下，片上熱傳感器需要正確放置于高溫度的區(qū)域。

　　盡可能早地通過(guò)集成芯片測(cè)試儀器分析檢測(cè)和消除設(shè)計(jì)中的熱點(diǎn)，應(yīng)該早在底層規(guī)劃階段就了解物理版圖和功耗狀況，此時(shí)也是進(jìn)行早期熱規(guī)劃的好時(shí)機(jī)。集成芯片測(cè)試儀器運(yùn)行時(shí)充分考慮封裝和金屬化效應(yīng)。忽略這些結(jié)構(gòu)、使用功率或功率密度圖去估計(jì)溫度，都會(huì)導(dǎo)致不準(zhǔn)確的功率估計(jì)和其它對(duì)溫度敏感的分析結(jié)果。

　　集成芯片測(cè)試儀器在每次可能改變芯片功率分布的設(shè)計(jì)反復(fù)階段中，認(rèn)真檢查熱效應(yīng)。在器件的一些重要工作模式下作的熱分析通常足夠用來(lái)提供熱點(diǎn)和其它關(guān)注點(diǎn)的反饋信息。集成芯片測(cè)試儀器在對(duì)片上變化敏感的時(shí)鐘樹(shù)和關(guān)鍵網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)中充分利用分散的溫度信息。時(shí)序和信號(hào)完整性分析也將受益于準(zhǔn)確的溫度和壓降信息。如果集成芯片測(cè)試儀器傳感器放置位置不正確，那么它們可能捕捉不到芯片的溫度，也就可能導(dǎo)致過(guò)于樂(lè)觀的反饋結(jié)果。

　　集成芯片測(cè)試儀器在使用的時(shí)候需要注意以上使用常識(shí)，多多注意保養(yǎng)，使得集成芯片測(cè)試儀器保持在穩(wěn)定的狀態(tài)。（本文來(lái)源網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除，謝謝。）